1. NTP45N06G
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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

NTP45N06G 

产品描述

MOSFET 60V 45A N-Channel

内部编号

277-NTP45N06G

生产厂商

ON Semiconductor

onsemi

#1

数量:0
最小起订量:1
美国费城
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NTP45N06G产品详细规格

规格书 NTP45N06G datasheet 规格书
文档 Multiple Devices 01/Jul/2009
产品更改通知 Product Obsolescence 01/Jul/2009
标准包装 50
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 60V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 45A
Rds(最大)@ ID,VGS 26 mOhm @ 22.5A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 4V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 46nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 1725pF @ 25V
功率 - 最大 2.4W
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220AB
包装材料 Tube;;其他的名称;
最大门源电压 ±20
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 175
通道模式 Enhancement
标准包装名称 TO-220
最低工作温度 -55
渠道类型 N
封装 Rail
最大漏源电阻 26@10V
最大漏源电压 60
每个芯片的元件数 1
供应商封装形式 TO-220AB
最大功率耗散 125000
最大连续漏极电流 45
引脚数 3
铅形状 Through Hole
FET特点 Standard
安装类型 Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 45A (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 4V @ 250µA
封装/外壳 TO-220-3
供应商设备封装 TO-220AB
其他名称 NTP45N06GOS
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 26 mOhm @ 22.5A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 2.4W
标准包装 50
漏极至源极电压(Vdss) 60V
输入电容(Ciss ) @ VDS 1725pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 46nC @ 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
associated EYGA121807A
EYGA091203SM
SK 409/254 STS
SK 409/508 STS
SK 145/375 STS-220
MK3306

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